第四是要突破部分专用设备仪器和材料，掌握6～8英寸集成电路设备的制备工艺技术，重点发展8～12英寸集成电路生产设备，包括光刻机、刻蚀机、离子注入机、平坦化设备、掺杂设备、快速热处理设备，划片机、键合机、硅片减薄机、集成电路自动封装系统等设备，具备为6～8英寸生产设备进行维护和翻新能力；力争实现100nm分辨率193nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机、高密度等离子体多晶硅刻蚀机、大角度倾斜大剂量离子注入机等重大关键装备产业化；重点开发12英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，SOI材料，宽禁带化合物半导体材料、光刻胶、化学试剂，特种气体、引线框架等材料，为产业发展提供有力支撑。

       第五是要推进重点产业园区建设，重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园，加强产业链建设，带动相关企业的发展。

     “规划”政策措施

     “规划”最后列举了保证集成电路产业发展的五项政策措施，分别是加快制定法规与政策，进一步营造良好的产业环境，积极推进“软件与集成电路产业发展促进条例”的编制，加快推出“关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策”，加大知识产权保护力度；进一步加大投入力度；继续扩大对外开放，提高利用外资质量，完善外商投资项目核准办法，适时调整“外商投资产业指导目录”，优化产业布局，减少低水平盲目重复建设；加强人才培养，积极引进海外人才，创造有利于集成电路人才发展的宽松环境。