中芯国际和Saifun半导体7月2日宣布，两家公司已经达成协议，Saifun将从中芯国际获得90纳米生产工艺的知识产权和技术。此次知识产权收购是中芯国际和Saifun在开发合作方面迈出的第一步，两家公司未来将在下一代技术上继续合作。

       基于90纳米生产工艺的首批中芯国际数据(NAND)闪存产品样本已经开始发货，预计将于今年晚些时候进入市场。这批产品的存储容量为2GB，采用了SaifunNROM技术，在采用相同技术的数据闪存中密度最大。下一代产品的存储容量为8GB，将采用SaifunQuadNROM技术，预计将于2008年初进入市场。