但是，构建最佳的数字DC-DC转换器，其性能受限于模拟电路，例如：电压基准或A/D转换器。

    高速数字PWM的定时问题实际上是其内核电路的模拟问题，可以通过数字和模拟方案的相互配合解决这一问题。基于这一考虑，若干年内，DC-DC转换器将是一个模拟技术和数字技术的混合架构。

    设计人员需要针对具体设计的系统选择最适合的方案，关于采用数字技术还是模拟技术的争议最终取决于对性能和成本的合理折衷。  

Madhu Rayabhari

    Microsemi，VPofBusinessDevelopment

    几个有关电源和电源管理方面的关键技术动向：

    .趋向于获得更高的效率；

    .趋向于减小尺寸和降低重量；

    .具有更低的待机功率容量；

    .绿色的电源；

    .遵守制订的规章；

    .趋向于数字化控制的电源和电源管理集成电路。

    全世界各地的人对功率的需求在不断地增加。而功率的产生和分配并没有跟上这个需求。因此，能够提高电源的效率，并使之具有更低待机功率的电源和电源管理集成电路逐渐成为起决定性作用的关键产品。

    建立绿色系统的潮流也影响到了电源和电源管理集成电路产品。绿色的系统消耗更少的功率，并且不使用危害环境的材料。一些这样的要求是通过立法来规定的。因此，对于电源的设计者而言，遵守制订的规章也是起决定性的关键。另外，按照诸如WEEE对环境考虑的要求，计划要减少电子废弃物，也会影响到设计师设计和制作新的电源集成电路产品的理念和方式方法。

    智能化电源管理集成电路提供了包括数字控制和监测功能在内的显著提高，因而能够完成上述的其他目标。事实上，由于集成电路所具有的数字能力，所以能够执行效率非常高的控制方法；既监测正在运行的功率消耗，又监测待机的功率消耗；还能自适应的调整电源的工作，以获得非常好的效率。另外，数字性能使得电源能够达到一个很高的集成度，因而潜在地致使系统成本下降。这也有可能致使系统减轻重量。

    降低和减小电源的重量和尺寸是从以下几个方面来着手进行的。采用工作频率较高的技术能够减小系统中无源元件的尺寸，从而降低重量和减小尺寸，而且还去除了某些原来需要使用的无源元件。

    Microsemi是一个领先的集成电路和分立器件的供应商,其产品的目标市场是电源的管理和实现。

    我们在分立器件部分最新推出的产品是PowerMOS8TM。与上一代的器件相比较，该新系列的高速、高电压N-沟道开关模式功率晶体管能够给设计者提供的好处是更低的EMI和更低的成本。而这个新系列的成员--MOSFET/FREDFET对典型额定值500W以上的、高频率、高电压应用中的硬开关和软开关都做了优化。FREDFET具有一个快恢复体二极管的特性，可用在ZVS电路中，提供高的抗换向dv/dt的能力和高的可靠性。

    近来，Microsemi推出的其他重要产品是业界第一个为以太网应用供电的多端口PSE控制器，该控制器符合IEEE802.3at标准的1.0版本草案的要求。PD69012和PD69008控制器给设计者提供一个水平非常高的数字控制和电源管理，因而使用以太网电缆的基本设施就能够得到非常高效率的功率使用和分配。

    由于认识到在诸如数字图像框、小型和便携式DVD播放器等应用中，能够高效率地为使用冷阴极荧光灯的小形状因子显示器提供背光照明的电路的需求，Microsemi推出LX6512，它给设计者提供一个多种拓扑的选择，以及较低的BOM成本，这是该类价格敏感应用的关键所在。

    另外，还认识到业界采用LED背光照明的发展趋势，最近又推出了相当重要的LX1996和DAZL系列控制器，给设计者提供许多性能，以实现高能效的、高性能的LED背光照明。LX1996实现使用白色LED的背光照明，DAZL给使用者提供用于RGBLED背光照明的非常先进的数字处理能力。采用LED作为背光照明源可以免除使用通常用于荧光灯的汞。

    新的应用

    1.不断上升的金属铜的价格将会驱使开关频率的增加，以及新拓扑和有源滤波器技术的出现。

    2.通常，新拓扑的开发将提高效率。但是，它们也许会更复杂，尤其是它们的控制电路。更多增加的效率将是开发所需求的控制和可能的新控制器芯片的驱动力。

    在直接变频器中，采用背-背晶体管来阻断和开导两极，不再需要一个整流的步骤。

    三电平变换器使得原先拓扑所需要用的1200V器件可以使用600V的器件。

    两-开关无桥式电路的功率因数正器。

    Vienna整流器。

    谐振拓扑应用的扩展。

    3.电源和电源管理的新产品有：

    .太阳能逆变器专用功率模块；

    .带有内置电流和温度传感的功率模块，用作DC固态继电器和电子负载的预制构件；

    .谐振模式IGBTCombis，用于相-移谐振全桥电路；

    .高频MOSFET用于无线电通信和其他次千兆赫的大功率应用；

    .线性模式MOSFET用于DC固态继电器和电子负载。