4 总结

通过上面的分析，我们可以得到以下结论：

⑴漂移区电阻大于沟道电阻，尤其在饱和情况下，漂移区电阻比沟道电阻大很多，LDMOS的功耗主要是在漂移区，在漂移区中扩展电阻的电阻率高于薄层电阻，故扩展电阻区域的功耗和发热量会较大，也就是说在器件沟道末端的发热量比较大。

⑵LDMOS的电阻与外加漏源电压、栅压、漂移区浓度关系密切，与漂移区长度、场极板长度关系不大。因此在设计LDMOS时要重点考虑它的工作电压和漂移区的掺杂浓度。

⑶通过模拟还发现，LDMOS承受漏源电压主要是场极板下面的场极板部分，增加场极板的长度会使漂移区的电势、电场分布发生变化，使承受漏源电压的部分变长，降低了最高电场，提高了击穿电压，同时增加场极板对电阻几乎没有多少影响，可以缓解击穿电压与导通电阻之间的矛盾。